羅姆開發出世界首次實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC(Silicon carbide：碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。
本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓(VF)降低70％以上，實現更低損耗的同時還可減少部件個數。
生產基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，從6月份開始出售樣品，從7月份開始陸續量產。
現在，在1200V級別的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動作的 SiC-MOSFET的開發備受期待。但是，傳統的SiC-MOSFET，體二極管通電導致的特性劣化(導通電阻和正向電壓的上升/耐性劣化)和柵氧化膜 故障等可靠性方面的課題較多，之前無法實現真正的全面導入。
此次，羅姆通過改善晶體缺陷相關工藝和元件構造，成功地攻克了包括體二極管在內的可靠性方面的所有課題。而且，與傳統產品相比，單位面積的導通電阻降低了約30％，實現了芯片尺寸的小型化。
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